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PSMN3R0-30YL,115  与  BSC030N03MS G  区别

型号 PSMN3R0-30YL,115 BSC030N03MS G
唯样编号 A-PSMN3R0-30YL,115 A-BSC030N03MS G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5mΩ
上升时间 - 10ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 81W 69W
Qg-栅极电荷 - 73nC
输出电容 615pF -
栅极电压Vgs 1.7V 20V
正向跨导 - 最小值 - 48S
典型关闭延迟时间 - 23ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 100A 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3M
输入电容 2822pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V,4.04mΩ@4.5V -
下降时间 - 9.4ns
典型接通延迟时间 - 19ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
380+ :  ¥5.8054
750+ :  ¥4.7585
1,500+ :  ¥4.3656
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R0-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-30YL_SOT669

¥5.8054 

阶梯数 价格
380: ¥5.8054
750: ¥4.7585
1,500: ¥4.3656
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